Teknoloji
Samsung, ABD’de 3D DRAM geliştirmeye başladı
Samsung, ABD’de yeni bir 3D DRAM araştırma laboratuvarı açarak, 3D bellek teknolojilerindeki liderliğini pekiştirmeyi hedefliyor ve bu teknolojinin gelecekte daha yüksek kapasiteli DRAM yongalarının üretimine olanak tanıyabileceğini gösteriyor.
Samsung, The Korea Times’ın haberine göre, ABD’de yeni bir araştırma laboratuvarını hizmete açtı. Kremniy Vadisi’nde bulunan bu tesis, Device Solutions America programı kapsamında 3D DRAM teknolojilerinin geliştirilmesi ile ilgilenmektedir. Samsung’un yeni laboratuvarının amacı, şirketi dünya çapında 3D DRAM bellek pazarında lider konumuna taşımak olarak belirlenmiştir.
3D DRAM: Yüksek Verimlilik İçin Yataydan Dikeye Geçiş
3D DRAM, mevcut planar düzenleme yerine transistörlerin üç boyutlu yerleşim teknolojisi kullanılarak üretilecek olan DRAM belleğini temsil etmektedir. Bu üç boyutlu üretim sürecinin amacı, mikroçiplerin fiziksel sınırlamalarını daha etkili bir şekilde kullanarak ek bellek hücreleri veya tam kristallerin dikey olarak birbirine eklenmesidir.
3D V-Cache: Samsung’un 3D Operatif Bellek Teknolojisinin Pratik Kullanımı
Operatif 3D bellek teknolojisinin bir örneği, AMD Ryzen X3D tüketici işlemcilerinde ve bazı sunucu yongalarında kullanılan 3D V-Cache özelliğidir. Bu durumda, 3D V-Cache, işlemcinin temel L3 önbellek katmanının üzerine yerleştirilen ek bir 3. seviye önbellek katmanını temsil etmektedir.
Samsung’un Teknoloji Liderliği: 3D NAND’tan 3D DRAM’a
The Korea Times, Samsung’un on yıl önce tanıttığı ve V-NAND olarak adlandırdığı üç boyutlu NAND flaş bellek teknolojisini hatırlatıyor. Bu teknoloji, günümüzde halen SSD’lerde kullanılmaktadır. Ayrıca, diğer üreticiler de 3D NAND flaş bellek üretimine geçmiş ve her geçen yıl katman sayısını artırmıştır; modern çiplerde bu sayı 230’ü aşmış durumdadır.
Teknolojik Gelecek: 3D DRAM ile Daha Yüksek Kapasite
Samsung, 2023 yılında yaptığı açıklamada, 10 nm’den daha ince teknoloji süreçlerini kullanarak üretilen operatif bellek kristal yapılarının, gelecekte 100 Gbit’e kadar yoğunluğa sahip DRAM yongalarının oluşturulmasına olanak tanıyacağını belirtti. Bu, 3D DRAM teknolojisinin işlemci segmentindeki etkinliğini kanıtlamış bir gelişmedir.
Genişlemiş bilgi ve teknolojik gelişmelerle birlikte, Samsung’un 3D DRAM laboratuvarının önemli bir rol oynayabileceği açıkça görülmektedir. Şirketin liderlik konumu, gelecekteki bellek teknolojilerinin evrimine yön verebilir.
